Оптические методы исследования позволяют изучать физические свойства полупроводников и независимо от других методов точно определять их характеристические параметры.

В настоящей монографии творчески обобщены последние результаты экспериментальных исследований оптических свойств полупроводников на примере трех групп материалов: элементарные полупроводники (Ge, Si), соединения A3В5 (InSb, InAs, GaAs и другие), соединения A4В6 (PbS, PbSe, РbТе). Эти материалы полно раскрывают особенности структуры электронных спектров полупроводников, наиболее детально исследованы и широко применяются в полупроводниковых приборах. Большое внимание в монографии уделено описанию методик экспериментального исследования спектров отражения и прозрачности в области длин волн от ультрафиолетовой до далекой инфракрасной.

Краткое рассмотрение теории явлений позволяет читателю сделать вывод о возможностях метода и точности измеряемых с его помощью параметров полупроводника. Это и многое другое вы найдете в книге Оптические свойства полупроводников (Ю. И. Уханов)