th >Рассмотрены физические принципы работы большинства известных полупроводниковых приборов: диодов, транзисторов, приборов с отрицательным сопротивлением с зарядовой связью, с инжекцион-ным питанием, полупроводниковых датчиков, приборов на основе эффекта сверхпроводимости. Даны выводы основных теоретических соотношений, определяющих их параметры. В отличие от первого издания (1980 г.) расширены главы по гетеропереходам, сверхпроводящим контактам. Добавлены материалы по действию радиации на полупроводниковые приборы. Рассмотрены эффекты, возникающие при приближении к субмикронным размерам активных элементов. Для инженерно-технических работников, занимающихся применением и разработкой элементов микроэлектроники. Это и многое другое вы найдете в книге Физика полупроводниковых приборов (И. М. Викулин, В. М. Стафеев)