В учебном пособии рассматриваются физические свойства широкозонных полупроводников - GaN, SiC и алмаза, технология изготовления эпитаксиальных пленок и структур на их основе и даются приборные приложения. Первая часть пособия посвящена бинарным и тройным широкозонным нитридам А(3) В(5), а последующие - другим широкозонным полупроводниковым материалам - карбиду кремния и алмазу.

Успехи в технологии получения эпитаксиальных пленок GaN, InxGa(1-x)N и AlxGa(1-x)N заложили основы для широкого применения этих материалов в лазерной технике видимого и УФ-диапазонов, в светотехнике позволили заменить обычные лампы накаливания на твердотельные источники белого света, а в компьютерной технике - использовать оптические диски и полноцветные твердотельные дисплеи. В пособии подробно рассмотрены кристаллическая структура, особенности зонного спектра, электрические, оптические и упругие свойства нитридов GaN, AIN, InN и твердых растворов на их основе. Проанализированы физико-химические свойства материалов, определены условия синтеза и эпитаксиального роста пленок, описаны современные технологии получения пленок и тонкопленочных структур на основе нитридов III группы элементов периодической системы Менделеева. Приведен обзор основных приборных приложений материалов этой группы.

Книга предназначена для студентов, изучающих дисциплины "Оптические материалы и технологии", "Материалы и элементы электронной техники", "Технология материалов и изделий электронной техники", а также дисциплины цикла "Физика и технология полупроводниковых приборов". Пособие также может быть полезно аспирантам и научным сотрудникам, специализирующимся в области физики и технологии полупроводниковых материалов и приборов. Это и многое другое вы найдете в книге Широкозонные полупроводники (Ю. Г. Шретер, Ю. Т. Ребане, В. А. Зыков)