В книге изложены основы теории варизонных полупроводников и гетероструктур и принципы работы приборов на их основе: энергетические зонные диаграммы, расчет потенциала идеального и неидеального гетеропереходов. Рассмотрено влияние заряда границы раздела и диполя на интерфейсе на диаграмму гетероструктуры. Описаны токи в гетеропереходе и контакте металл-полупроводник. Представлено описание принципа работы приборов с варизонными слоями и гетероструктурами.

Учебное пособие предназначено для студентов старших курсов физических специальностей, а также может быть рекомендовано аспирантам и научным сотрудникам, работающим в области физики и техники твердых тел, полупроводниковой электроники, для углубленного изучения предмета. Это и многое другое вы найдете в книге Варизонные полупроводники и гетероструктуры (В. И. Ильин, С. Ф. Мусихин, А. Я. Шик)