Изложены физические основы действия p-n переходов и полупроводниковых приборов: диодов, биполярных и полевых транзисторов, тиристоров, термочувствительных, термоэлектрических и оптоэлектронных приборов, а также приборов, основанных на эффектах сильного поля. Описаны конструктивно-технологические особенности и основные характеристики полупроводниковых приборов. Приведены примеры расчетов параметров и характеристик основных типов полупроводниковых приборов. Отдельная глава посвящена основам микроэлектроники. Это и многое другое вы найдете в книге Полупроводниковые приборы и основы их проектирования (М. Г. Крутякова, Н. А. Чарыков, В. В. Юдин)