Рассматриваются особенности физический свойств полупроводников, обусловленные статистическим взаимодействием электронов и дефектов. Учет такого взаимодействия позволяет понять природу высокотемпературной электропроводности ряда полупроводников (собственнодефектная проводимость), природу равновесной и неравновесной самокомпенсации проводимости, определить зависимость концентрации носителей тока и других факторов. Это и многое другое вы найдете в книге Статистическое взаимодействие электронов и дефектов в полупроводниках ("Винецкий В.Л.;Холодарь Г.А.")