Приведены сведения о принципе действия, схемотехнике и особенностях использования полупроводниковых постоянных запоминающих устройств, допускающих запись информации электрическим способом Рассмотрены элементы и устройства, основанные на принципе пережигания плавких перемычек, хранения заряда в двухслойной структуре МНОП-транзистора и в изолированном затворе лавинно-инжекционного МОП-транзистора, на применении аморфных полупроводников. Это и многое другое вы найдете в книге Электрически изменяемые ПЗУ (Ю. А. Косарев, С. В. Виноградов)