Физико-химические основы легирования полупроводников В. С. Земсков, В. М. Глазов

В монографии обобщены результаты исследования принципов и процессов легирования германия и кремния с позиций физической химии и физики твердого тела. В первой главе последовательно и полно изложены принципы легирования полупроводников. Во второй главе собран и проанализирован практически весь имеющийся материал по двойным системам на основе германия и кремния. Графический материал в виде диаграммы состояния с микрообластями твердых растворов является справочным материалом. Третья глава посвящена важному вопросу взаимодействия компонентов в полупроводниковых системах. Собраны практически все исследованные тройные диаграммы состояния для германия и кремния типа полупроводник — акцептор — донор. Вопросы взаимодействия рассматриваются с позиций физико-химического анализа. В последней, четвертой, ... Это и многое другое вы найдете в книге Физико-химические основы легирования полупроводников (В. М. Глазов, В. С. Земсков)