В работе описана новая конструкция и схема расположения катодного и анодного узлов разработанной установки ионно-плазменного травления микроструктур со сканируемым ВЧ - магнетроном, обеспечивающие высокие скорости ионного и реактивно-ионного травления различных материалов. Определены и описаны оптимальные режимы травления кварца. Впервые предложено устройство для утилизации хлорсодержащих газов и (или) изменения состава рабочего газа. Определены оптимальные режимы процессов реактивного ионно-лучевого травления кварца в различных хлорсодержащих газах. Исследованы возможности использования твердотельного источника фтора для ионно-лучевого травления кварца. Определены оптимальные режимы ионно-лучевых и ионно-плазменных процессов полировки кварца. Это и многое другое вы найдете в книге Вакуумно-плазменные процессы обработки кварца (Владимир Ветошкин und Петр Крылов)