В монографии изложена оригинальная бесконтактная методика исследования динамики нагрева, твердофазной рекристаллизации и анизотропного локального плавления имплантированных полупроводников в процессе импульсного светового отжига. Методика основана на регистрации дифракции Фраунгофера от специальных периодических структур, предварительно сформированных на поверхности полупроводников ионной имплантацией и фотолитографией. Предложенный способ контроля температуры является весьма полезной при изучении импульсных воздействии на твердое тело для широкого диапазона длительностей не только в случае его нагрева, но и в случае охлаждения. Например, при лазерном охлаждении твердого тела. Кроме того, эта методика позволяет измерять коэффициент линейного расширения образцов малых размеров и может быть весьма полезной в дилатометрии. Это и многое другое вы найдете в книге Динамическая термометрия полупроводника при импульсном световом отжиге (Мансур Галяутдинов, Яхъя Фаттахов und Булат Фаррахов)