Монокристаллические пленки, выращиваемые методом жидкофазной эпитаксии из переохлажденного раствора-расплава, являются единственными искусственными материалами, в которые в качестве изоморфных замещений можно ввести около половины элементов из таблицы Д.И.Менделеева. В связи с успешно решенной проблемой создания запоминающих устройств без механически перемещаемых частей была разработана технология получения подложек на основе монокристаллов гадолиний-галлиевого граната (ГГГ) для выращивания на них эпитаксиальных гранатовых пленок. В качестве подложек для выращивания эпитаксиальных пленок используют разные монокристаллы со структурой граната. В частности, показано, что эпитаксиальные пленки, выращенные на подложках иттрий-алюминиевого граната, легированные ионами церия, имеют быструю кинетику затухания люминесценции (не более 30 нс) и являются перспективными для создания сцинтилляторов. Целью настоящей работы являлось исследование спектрально-люминесцентных свойств эпитаксиальных... Это и многое другое вы найдете в книге Спектрально-люминесцентные свойства эпитаксиальных пленок (Рандошкин Иван)