Микроструктуры интегральной электроники Е. В. Бузанева

Рассмотрена связь электрофизических характеристик и физических параметров микроструктур на полу- и сверхпроводниках: поверхностно-барьерных структур (металл-/n(р)-полупроводник, металл-р+(n+)-n(р)-полупроводник, металл-туннельный диэлектрик-полупроводник); слоистых полупроводниковых структур с системой потенциальных барьеров и квантовых ям (двух- и много-барьерные структуры, сверхрешетки); слоистых структур сверхпроводник-изолятор (или нормальный металл, полупроводник) сверхпроводник и периодических структур на их основе с джозефсоновской связью между слоями. Изложены основы физики, микротехнологии и применения микроструктур на элементарных, сложных полупроводниках и высокотемпературных сверхпроводниках в приборах, устройствах и сверхбольших сверхскоростных микросхемах. Для научных работников, специализирующихся в области микроэлектроники, полупроводниковых и сверхпроводниковых приборов. Это и многое другое вы найдете в книге Микроструктуры интегральной электроники (Е. В. Бузанева)