Рассмотрены принцип действия, физические основы, устройство и технология изготовления полупроводниковых знакосинтезирующих индикаторов. Приведены основные параметры и характеристики различных типов полупроводниковых знакосинтезирующих индикаторов (цифро-знаковых индикаторов, модулей экрана, шкал). Изложены основные пути оптимизации параметров и главные направления развития этого класса полупроводниковых приборов. Для инженерно-технических работников, связанных с разработкой и использованием полупроводниковых приборов и оптико-электронной аппаратуры. Это и многое другое вы найдете в книге Полупроводниковые знакосинтезирующие индикаторы (О. Н. Ермаков, В. П. Сушков)